SUD35N10-26P-T4GE3 Preise (USD) [84051Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- SUD35N10-26P-T4GE3
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 100V 35A TO252.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Leistungstreibermodule, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln and Transistoren - spezieller Zweck ...
- Wettbewerbsvorteil:
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SUD35N10-26P-T4GE3 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SUD35N10-26P-T4GE3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET N-CH 100V 35A TO252
Serie :
TrenchFET®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
35A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
7V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
26 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
47nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
2000pF @ 12V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
8.3W (Ta), 83W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
TO-252, (D-Pak)
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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