ZXMN2F30FHQTA Preise (USD) [663036Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- ZXMN2F30FHQTA
- Hersteller:
- Diodes Incorporated
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 20V 4.9A SOT23-3.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
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ZXMN2F30FHQTA Produkteigenschaften
Artikelnummer :
ZXMN2F30FHQTA
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET N-CH 20V 4.9A SOT23-3
Serie :
Automotive, AEC-Q101
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
20V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
4.9A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
45 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
4.8nC @ 10V
Vgs (Max) :
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
452pF @ 10V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
1.4W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
SOT-23-3
Paket / fall :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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