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- Artikelnummer:
- RJK2009DPM-00#T0
- Hersteller:
- Renesas Electronics America
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 200V 40A TO3PFM.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
-
- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Leistungstreibermodule, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF and Dioden - Gleichrichter - Arrays ...
- Wettbewerbsvorteil:
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RJK2009DPM-00#T0 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
RJK2009DPM-00#T0
Hersteller :
Renesas Electronics America
Beschreibung :
MOSFET N-CH 200V 40A TO3PFM
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
40A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
36 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
-
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
72nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
2900pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
60W (Tc)
Betriebstemperatur :
-
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-3PFM
Paket / fall :
TO-3PFM, SC-93-3
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