Toshiba Semiconductor and Storage - 2SK3309(TE24L,Q)

KEY Part #: K6403968

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    Artikelnummer:
    2SK3309(TE24L,Q)
    Hersteller:
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET N-CH 450V 10A TO220SM.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
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    Wettbewerbsvorteil:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    2SK3309(TE24L,Q) Produkteigenschaften

    Artikelnummer : 2SK3309(TE24L,Q)
    Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage
    Beschreibung : MOSFET N-CH 450V 10A TO220SM
    Serie : -
    Teilestatus : Obsolete
    FET-Typ : N-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 450V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 10A (Ta)
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 650 mOhm @ 5A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 1mA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 23nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±30V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 920pF @ 10V
    FET-Funktion : -
    Verlustleistung (max.) : 65W (Tc)
    Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
    Befestigungsart : Surface Mount
    Supplier Device Package : TO-220SM
    Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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