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- Artikelnummer:
- HUF75829D3S
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 150V 18A DPAK.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - RF, Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - IGBTs - Module, Thyristoren - DIACs, SIDACs and Dioden - Brückengleichrichter ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor HUF75829D3S elektronische Komponenten. HUF75829D3S kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu HUF75829D3S haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
HUF75829D3S Produkteigenschaften
Artikelnummer :
HUF75829D3S
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CH 150V 18A DPAK
Serie :
UltraFET™
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
150V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
18A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
110 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
70nC @ 20V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1080pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
110W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
TO-252AA
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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