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- Artikelnummer:
- AO6085N03
- Hersteller:
- Alpha & Omega Semiconductor Inc.
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 8DFN.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
-
- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - Thyristoren, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single and Transistoren - Programmierbare Einheit ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO6085N03 elektronische Komponenten. AO6085N03 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu AO6085N03 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
AO6085N03 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
AO6085N03
Hersteller :
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Beschreibung :
MOSFET N-CH 8DFN
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
11A (Ta), 50A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8.5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
24nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1380pF @ 15V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
1.9W (Ta), 31W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
8-DFN (5x6)
Paket / fall :
8-VDFN Exposed Pad
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