FQD19N10TM Preise (USD) [235759Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- FQD19N10TM
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - spezieller Zweck, Dioden - RF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Thyristoren - SCRs - Module, Leistungstreibermodule, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - IGBTs - Arrays and Dioden - Zener - Arrays ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor FQD19N10TM elektronische Komponenten. FQD19N10TM kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu FQD19N10TM haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
FQD19N10TM Produkteigenschaften
Artikelnummer :
FQD19N10TM
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
Serie :
QFET®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
15.6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
100 mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
25nC @ 10V
Vgs (Max) :
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
780pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
2.5W (Ta), 50W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
D-Pak
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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