Diodes Incorporated - DMTH10H010LCT

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Artikelnummer:
DMTH10H010LCT
Hersteller:
Diodes Incorporated
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET 100V 108A TO220AB.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMTH10H010LCT Produkteigenschaften

Artikelnummer : DMTH10H010LCT
Hersteller : Diodes Incorporated
Beschreibung : MOSFET 100V 108A TO220AB
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 108A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9.5 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 53.7nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2592pF @ 50V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 2.4W (Ta), 166W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-220AB
Paket / fall : TO-220-3

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