IRFH4210DTRPBF Preise (USD) [91270Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IRFH4210DTRPBF
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 25V 44A 8PQFN.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
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IRFH4210DTRPBF Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IRFH4210DTRPBF
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 25V 44A 8PQFN
Serie :
HEXFET®
Teilestatus :
Not For New Designs
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
25V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
44A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.1 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.1V @ 100µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
77nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
4812pF @ 13V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
3.5W (Ta), 125W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PQFN (5x6)
Paket / fall :
8-PowerTDFN
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