Infineon Technologies - SPA15N65C3XKSA1

KEY Part #: K6417649

SPA15N65C3XKSA1 Preise (USD) [37638Stück Lager]

  • 1 pcs$1.03883
  • 500 pcs$0.94339

Artikelnummer:
SPA15N65C3XKSA1
Hersteller:
Infineon Technologies
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 15A TO220-3.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Dioden - RF, Thyristoren - Thyristoren, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - JFETs and Thyristoren - TRIACs ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies SPA15N65C3XKSA1 elektronische Komponenten. SPA15N65C3XKSA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu SPA15N65C3XKSA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SPA15N65C3XKSA1 Produkteigenschaften

Artikelnummer : SPA15N65C3XKSA1
Hersteller : Infineon Technologies
Beschreibung : MOSFET N-CH 650V 15A TO220-3
Serie : CoolMOS™
Teilestatus : Not For New Designs
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 15A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 280 mOhm @ 9.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.9V @ 675µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 63nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1600pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 34W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : PG-TO220-3
Paket / fall : TO-220-3 Full Pack

Sie könnten auch interessiert sein an