Microsemi Corporation - APT45GP120JDQ2

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Artikelnummer:
APT45GP120JDQ2
Hersteller:
Microsemi Corporation
Detaillierte Beschreibung:
IGBT 1200V 75A 329W SOT227.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - spezieller Zweck, Dioden - RF, Thyristoren - TRIACs, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt and Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays ...
Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT45GP120JDQ2 Produkteigenschaften

Artikelnummer : APT45GP120JDQ2
Hersteller : Microsemi Corporation
Beschreibung : IGBT 1200V 75A 329W SOT227
Serie : POWER MOS 7®
Teilestatus : Active
IGBT-Typ : PT
Aufbau : Single
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) : 1200V
Stromabnehmer (Ic) (max.) : 75A
Leistung max : 329W
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic : 3.9V @ 15V, 45A
Strom - Kollektorabschaltung (max.) : 750µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce : 4nF @ 25V
Eingang : Standard
NTC-Thermistor : No
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Chassis Mount
Paket / fall : ISOTOP
Supplier Device Package : ISOTOP®