ON Semiconductor - FCU2250N80Z

KEY Part #: K6419888

FCU2250N80Z Preise (USD) [142124Stück Lager]

  • 1 pcs$0.26025
  • 1,800 pcs$0.22396

Artikelnummer:
FCU2250N80Z
Hersteller:
ON Semiconductor
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 800V 2.6A IPAK.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Thyristoren - TRIACs, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - IGBTs - Arrays, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays and Transistoren - Bipolar (BJT) - RF ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor FCU2250N80Z elektronische Komponenten. FCU2250N80Z kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu FCU2250N80Z haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FCU2250N80Z Produkteigenschaften

Artikelnummer : FCU2250N80Z
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET N-CH 800V 2.6A IPAK
Serie : SuperFET® II
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 800V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 2.6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.25 Ohm @ 1.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 260µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 14nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 585pF @ 100V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 39W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : I-PAK
Paket / fall : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA