ON Semiconductor - FCH099N60E

KEY Part #: K6397421

FCH099N60E Preise (USD) [24771Stück Lager]

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Artikelnummer:
FCH099N60E
Hersteller:
ON Semiconductor
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V TO247.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Thyristoren - Thyristoren, Dioden - Zener - Arrays, Dioden - Zener - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - spezieller Zweck and Transistoren - JFETs ...
Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FCH099N60E Produkteigenschaften

Artikelnummer : FCH099N60E
Hersteller : ON Semiconductor
Beschreibung : MOSFET N-CH 600V TO247
Serie : SuperFET® II
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 37A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 99 mOhm @ 18.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 114nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 3465pF @ 380V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 357W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-247
Paket / fall : TO-247-3