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- Artikelnummer:
- IRF7901D1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 8SOIC.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - JFETs, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Dioden - RF and Transistoren - IGBTs - Arrays ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IRF7901D1 elektronische Komponenten. IRF7901D1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IRF7901D1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IRF7901D1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IRF7901D1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 8SOIC
Serie :
FETKY™
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
6.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
38 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
10.5nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
780pF @ 16V
Leistung max :
2W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package :
8-SO
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