Texas Instruments - CSD86330Q3D

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Artikelnummer:
CSD86330Q3D
Hersteller:
Texas Instruments
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 25V 20A 8SON.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Zener - Arrays, Leistungstreibermodule, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - IGBTs - Arrays, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - IGBTs - Single and Transistoren - Bipolar (BJT) - RF ...
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CSD86330Q3D Produkteigenschaften

Artikelnummer : CSD86330Q3D
Hersteller : Texas Instruments
Beschreibung : MOSFET 2N-CH 25V 20A 8SON
Serie : NexFET™
Teilestatus : Active
FET-Typ : 2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Funktion : Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 25V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 9.6 mOhm @ 14A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 6.2nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 920pF @ 12.5V
Leistung max : 6W
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Paket / fall : 8-PowerLDFN
Supplier Device Package : 8-LSON (3.3x3.3)

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