CSD86330Q3D Preise (USD) [107742Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- CSD86330Q3D
- Hersteller:
- Texas Instruments
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 2N-CH 25V 20A 8SON.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
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- Wettbewerbsvorteil:
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CSD86330Q3D Produkteigenschaften
Artikelnummer :
CSD86330Q3D
Hersteller :
Texas Instruments
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 25V 20A 8SON
Serie :
NexFET™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
25V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
9.6 mOhm @ 14A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
6.2nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
920pF @ 12.5V
Leistung max :
6W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-PowerLDFN
Supplier Device Package :
8-LSON (3.3x3.3)
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