BSO615NGHUMA1 Preise (USD) [209768Stück Lager]
- 1 pcs$0.17633
- Artikelnummer:
- BSO615NGHUMA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Brückengleichrichter, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Thyristoren - SCRs - Module, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - JFETs, Dioden - Zener - Arrays and Thyristoren - Thyristoren ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies BSO615NGHUMA1 elektronische Komponenten. BSO615NGHUMA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu BSO615NGHUMA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
BSO615NGHUMA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
BSO615NGHUMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC
Serie :
SIPMOS®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion :
Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
2.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
150 mOhm @ 2.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 20µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
20nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
380pF @ 25V
Leistung max :
2W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package :
PG-DSO-8
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