IXYS - IXFN36N60

KEY Part #: K6398122

IXFN36N60 Preise (USD) [3081Stück Lager]

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Artikelnummer:
IXFN36N60
Hersteller:
IXYS
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 36A SOT-227B.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - RF, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - Programmierbare Einheit, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors), Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Thyristoren - TRIACs and Dioden - Zener - Arrays ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf IXYS IXFN36N60 elektronische Komponenten. IXFN36N60 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IXFN36N60 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFN36N60 Produkteigenschaften

Artikelnummer : IXFN36N60
Hersteller : IXYS
Beschreibung : MOSFET N-CH 600V 36A SOT-227B
Serie : HiPerFET™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 36A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 180 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 8mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 325nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 9000pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 520W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Chassis Mount
Supplier Device Package : SOT-227B
Paket / fall : SOT-227-4, miniBLOC

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