BSL302SNH6327XTSA1 Preise (USD) [417748Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- BSL302SNH6327XTSA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 30V 7.1A 6TSOP.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - IGBTs - Single, Dioden - RF, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - JFETs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Thyristoren - DIACs, SIDACs and Thyristoren - TRIACs ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies BSL302SNH6327XTSA1 elektronische Komponenten. BSL302SNH6327XTSA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu BSL302SNH6327XTSA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
BSL302SNH6327XTSA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
BSL302SNH6327XTSA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 30V 7.1A 6TSOP
Serie :
OptiMOS™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
7.1A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
25 mOhm @ 7.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 30µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
6.6nC @ 5V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
750pF @ 15V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
2W (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PG-TSOP-6-6
Paket / fall :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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