STMicroelectronics - STD2NM60T4

KEY Part #: K6415702

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    Artikelnummer:
    STD2NM60T4
    Hersteller:
    STMicroelectronics
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET N-CH 600V 2A DPAK.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - IGBTs - Single, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Thyristoren - DIACs, SIDACs and Dioden - RF ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf STMicroelectronics STD2NM60T4 elektronische Komponenten. STD2NM60T4 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu STD2NM60T4 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    STD2NM60T4 Produkteigenschaften

    Artikelnummer : STD2NM60T4
    Hersteller : STMicroelectronics
    Beschreibung : MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
    Serie : MDmesh™
    Teilestatus : Obsolete
    FET-Typ : N-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 2A (Tc)
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.2 Ohm @ 1A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 8.4nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±30V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 160pF @ 25V
    FET-Funktion : -
    Verlustleistung (max.) : 46W (Tc)
    Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
    Befestigungsart : Surface Mount
    Supplier Device Package : DPAK
    Paket / fall : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63