Artikelnummer :
STD2NM60T4
Hersteller :
STMicroelectronics
Beschreibung :
MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
2A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.2 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
8.4nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
160pF @ 25V
Verlustleistung (max.) :
46W (Tc)
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
DPAK
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63