STMicroelectronics - STF20N60M2-EP

KEY Part #: K6396931

STF20N60M2-EP Preise (USD) [67170Stück Lager]

  • 1 pcs$0.58212
  • 1,000 pcs$0.52016

Artikelnummer:
STF20N60M2-EP
Hersteller:
STMicroelectronics
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V TO-220FP.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - IGBTs - Module, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Thyristoren - DIACs, SIDACs and Dioden - Brückengleichrichter ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf STMicroelectronics STF20N60M2-EP elektronische Komponenten. STF20N60M2-EP kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu STF20N60M2-EP haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STF20N60M2-EP Produkteigenschaften

Artikelnummer : STF20N60M2-EP
Hersteller : STMicroelectronics
Beschreibung : MOSFET N-CH 600V TO-220FP
Serie : MDmesh™ M2-EP
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 13A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : -
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.75V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 22nC @ 10V
Vgs (Max) : -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : -
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : -
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-220FP
Paket / fall : TO-220-3 Full Pack