STMicroelectronics - STT6N3LLH6

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Artikelnummer:
STT6N3LLH6
Hersteller:
STMicroelectronics
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 6A SOT23-6.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STT6N3LLH6 Produkteigenschaften

Artikelnummer : STT6N3LLH6
Hersteller : STMicroelectronics
Beschreibung : MOSFET N-CH 30V 6A SOT23-6
Serie : DeepGATE™, STripFET™ VI
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 3.6nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 283pF @ 24V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 1.6W (Tc)
Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : SOT-23-6
Paket / fall : SOT-23-6

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