ON Semiconductor - FDC3512_F095

KEY Part #: K6407977

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    Artikelnummer:
    FDC3512_F095
    Hersteller:
    ON Semiconductor
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET N-CH 80V 3A 6-SSOT.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - Programmierbare Einheit, Dioden - RF, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - JFETs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Dioden - Brückengleichrichter and Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor FDC3512_F095 elektronische Komponenten. FDC3512_F095 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu FDC3512_F095 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FDC3512_F095 Produkteigenschaften

    Artikelnummer : FDC3512_F095
    Hersteller : ON Semiconductor
    Beschreibung : MOSFET N-CH 80V 3A 6-SSOT
    Serie : PowerTrench®
    Teilestatus : Obsolete
    FET-Typ : N-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 80V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 3A (Ta)
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 77 mOhm @ 3A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 18nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±20V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 634pF @ 40V
    FET-Funktion : -
    Verlustleistung (max.) : 1.6W (Ta)
    Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Befestigungsart : Surface Mount
    Supplier Device Package : SuperSOT™-6
    Paket / fall : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6