RDD020N60TL Preise (USD) [171284Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- RDD020N60TL
- Hersteller:
- Rohm Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 600V 2A CPT3.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Wettbewerbsvorteil:
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RDD020N60TL Produkteigenschaften
Artikelnummer :
RDD020N60TL
Hersteller :
Rohm Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CH 600V 2A CPT3
Serie :
-
Teilestatus :
Not For New Designs
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
2A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
-
Vgs (th) (Max) @ Id :
-
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
-
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
20W (Tc)
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
CPT3
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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