C3M0120090J-TR Preise (USD) [13467Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- C3M0120090J-TR
- Hersteller:
- Cree/Wolfspeed
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 900V 22A.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - Programmierbare Einheit, Transistoren - IGBTs - Module, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Dioden - Zener - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt and Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Cree/Wolfspeed C3M0120090J-TR elektronische Komponenten. C3M0120090J-TR kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu C3M0120090J-TR haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
C3M0120090J-TR Produkteigenschaften
Artikelnummer :
C3M0120090J-TR
Hersteller :
Cree/Wolfspeed
Beschreibung :
MOSFET N-CH 900V 22A
Serie :
C3M™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
900V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
22A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
155 mOhm @ 15A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 3mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
17.3nC @ 15V
Vgs (Max) :
+18V, -8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
350pF @ 600V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
83W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
D2PAK-7
Paket / fall :
TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
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