FDP80N06 Preise (USD) [32472Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- FDP80N06
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 60V 80A TO-220.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor FDP80N06 elektronische Komponenten. FDP80N06 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu FDP80N06 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
FDP80N06 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
FDP80N06
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CH 60V 80A TO-220
Serie :
UniFET™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
80A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
10 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
74nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
3190pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
176W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-220-3
Paket / fall :
TO-220-3
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