Artikelnummer :
TK4R3E06PL,S1X
Hersteller :
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung :
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
80A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
7.2 mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 500µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
48.2nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
3280pF @ 30V
Verlustleistung (max.) :
87W (Tc)
Betriebstemperatur :
175°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-220