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- Artikelnummer:
- SPD26N06S2L-35
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 55V 30A DPAK.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
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SPD26N06S2L-35 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SPD26N06S2L-35
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
Serie :
OptiMOS™
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
55V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
30A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
35 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 26µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
24nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
790pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
68W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
P-TO252-3
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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