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ON Semiconductor - FDS6812A

KEY Part #: K6524600

[3778Stück Lager]

    Artikelnummer:
    FDS6812A
    Hersteller:
    ON Semiconductor
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET 2N-CH 20V 6.7A 8SOIC.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Brückengleichrichter, Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - JFETs, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF and Transistoren - IGBTs - Module ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor FDS6812A elektronische Komponenten. FDS6812A kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu FDS6812A haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FDS6812A Produkteigenschaften

    Artikelnummer : FDS6812A
    Hersteller : ON Semiconductor
    Beschreibung : MOSFET 2N-CH 20V 6.7A 8SOIC
    Serie : PowerTrench®
    Teilestatus : Obsolete
    FET-Typ : 2 N-Channel (Dual)
    FET-Funktion : Logic Level Gate
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 20V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 6.7A
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 22 mOhm @ 6.7A, 4.5V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 19nC @ 4.5V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1082pF @ 10V
    Leistung max : 900mW
    Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Befestigungsart : Surface Mount
    Paket / fall : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Supplier Device Package : 8-SOIC

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