DMT10H009LSS-13 Preise (USD) [171554Stück Lager]
- 1 pcs$0.21560
- Artikelnummer:
- DMT10H009LSS-13
- Hersteller:
- Diodes Incorporated
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET BVDSS 61V-100V SO-8 TR.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - JFETs, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - Programmierbare Einheit, Thyristoren - DIACs, SIDACs and Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Diodes Incorporated DMT10H009LSS-13 elektronische Komponenten. DMT10H009LSS-13 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu DMT10H009LSS-13 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
DMT10H009LSS-13 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
DMT10H009LSS-13
Hersteller :
Diodes Incorporated
Beschreibung :
MOSFET BVDSS 61V-100V SO-8 TR
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
13A (Ta), 48A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
9 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
40.2nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
2309pF @ 50V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
1.8W (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
8-SO
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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