Taiwan Semiconductor Corporation - TSM2N7000KCT A3G

KEY Part #: K6395540

TSM2N7000KCT A3G Preise (USD) [1502592Stück Lager]

  • 1 pcs$0.02462

Artikelnummer:
TSM2N7000KCT A3G
Hersteller:
Taiwan Semiconductor Corporation
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CHANNEL 60V 300MA TO92.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - IGBTs - Module, Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Leistungstreibermodule, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - JFETs, Thyristoren - DIACs, SIDACs, Dioden - RF and Dioden - Brückengleichrichter ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf Taiwan Semiconductor Corporation TSM2N7000KCT A3G elektronische Komponenten. TSM2N7000KCT A3G kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu TSM2N7000KCT A3G haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TSM2N7000KCT A3G Produkteigenschaften

Artikelnummer : TSM2N7000KCT A3G
Hersteller : Taiwan Semiconductor Corporation
Beschreibung : MOSFET N-CHANNEL 60V 300MA TO92
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 300mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5 Ohm @ 100mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 0.4nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 7.32pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 400mW (Ta)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-92
Paket / fall : TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)