IPD40N03S4L08ATMA1 Preise (USD) [208832Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IPD40N03S4L08ATMA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH TO252-3.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IPD40N03S4L08ATMA1 elektronische Komponenten. IPD40N03S4L08ATMA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IPD40N03S4L08ATMA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IPD40N03S4L08ATMA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IPD40N03S4L08ATMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH TO252-3
Serie :
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
40A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8.3 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 13µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
20nC @ 10V
Vgs (Max) :
±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1520pF @ 15V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
42W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PG-TO252-3-11
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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