SIHD9N60E-GE3 Preise (USD) [93805Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- SIHD9N60E-GE3
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CHANNEL 600V 9A DPAK.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Dioden - Brückengleichrichter, Dioden - Zener - Arrays, Dioden - Gleichrichter - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays and Transistoren - spezieller Zweck ...
- Wettbewerbsvorteil:
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SIHD9N60E-GE3 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
SIHD9N60E-GE3
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET N-CHANNEL 600V 9A DPAK
Serie :
E
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
9A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
368 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
52nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
778pF @ 100V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
78W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
D-PAK (TO-252AA)
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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