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- Artikelnummer:
- IRF7379PBF
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays, Dioden - RF, Leistungstreibermodule, Transistoren - JFETs, Dioden - Zener - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF and Dioden - Brückengleichrichter ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IRF7379PBF elektronische Komponenten. IRF7379PBF kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IRF7379PBF haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IRF7379PBF Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IRF7379PBF
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
Serie :
HEXFET®
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N and P-Channel
FET-Funktion :
Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
5.8A, 4.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
45 mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
25nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
520pF @ 25V
Leistung max :
2.5W
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Paket / fall :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package :
8-SO
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