Artikelnummer :
STFI20N65M5
Hersteller :
STMicroelectronics
Beschreibung :
MOSFET N CH 650V 18A I2PAKFP
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
18A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
190 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
45nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1345pF @ 100V
Verlustleistung (max.) :
130W (Tc)
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
I2PAKFP (TO-281)
Paket / fall :
TO-262-3 Full Pack, I²Pak