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- Artikelnummer:
- IPSH4N03LA G
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 25V 90A IPAK.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
-
- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - DIACs, SIDACs, Dioden - Zener - Single, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - spezieller Zweck, Thyristoren - SCRs - Module, Thyristoren - Thyristoren, Dioden - RF and Dioden - variable Kapazität (Varicaps, Varactors) ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IPSH4N03LA G elektronische Komponenten. IPSH4N03LA G kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IPSH4N03LA G haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IPSH4N03LA G Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IPSH4N03LA G
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 25V 90A IPAK
Serie :
OptiMOS™
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
25V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
90A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.4 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 40µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
26nC @ 5V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
3200pF @ 15V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
94W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
PG-TO251-3
Paket / fall :
TO-251-3 Stub Leads, IPak
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