Artikelnummer :
IPP65R660CFDAAKSA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
MOSFET N-CH 650V TO-220-3
Serie :
Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
660 mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 200µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
20nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
543pF @ 100V
Verlustleistung (max.) :
62.5W (Tc)
Betriebstemperatur :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
PG-TO220-3