IXYS - IXFT7N90Q

KEY Part #: K6406935

IXFT7N90Q Preise (USD) [5325Stück Lager]

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Artikelnummer:
IXFT7N90Q
Hersteller:
IXYS
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET N-CH 900V 7A TO-268.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFT7N90Q Produkteigenschaften

Artikelnummer : IXFT7N90Q
Hersteller : IXYS
Beschreibung : MOSFET N-CH 900V 7A TO-268
Serie : HiPerFET™
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 900V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 7A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.5 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 2.5mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 56nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2200pF @ 25V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 180W (Tc)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : TO-268
Paket / fall : TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

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