Diodes Incorporated - DMT6015LPS-13

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Artikelnummer:
DMT6015LPS-13
Hersteller:
Diodes Incorporated
Detaillierte Beschreibung:
MOSFET BVDSS 41V 60V POWERDI506.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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Wettbewerbsvorteil:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMT6015LPS-13 Produkteigenschaften

Artikelnummer : DMT6015LPS-13
Hersteller : Diodes Incorporated
Beschreibung : MOSFET BVDSS 41V 60V POWERDI506
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : N-Channel
Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 10.6A (Ta), 31A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 16 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 18.9nC @ 10V
Vgs (Max) : ±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 1103pF @ 30V
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 1.16W (Ta)
Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart : Surface Mount
Supplier Device Package : PowerDI5060-8
Paket / fall : 8-PowerTDFN

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