FDD86567-F085 Preise (USD) [132017Stück Lager]
- 1 pcs$0.28017
- Artikelnummer:
- FDD86567-F085
- Hersteller:
- ON Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 60V 100A DPAK.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf ON Semiconductor FDD86567-F085 elektronische Komponenten. FDD86567-F085 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu FDD86567-F085 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
FDD86567-F085 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
FDD86567-F085
Hersteller :
ON Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CH 60V 100A DPAK
Serie :
Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.2 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
82nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
4950pF @ 30V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
227W (Tj)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
D-PAK (TO-252)
Paket / fall :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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