RS1E200GNTB Preise (USD) [344906Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- RS1E200GNTB
- Hersteller:
- Rohm Semiconductor
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 30V 20A 8-HSOP.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Gleichrichter - Single, Dioden - Zener - Single, Transistoren - IGBTs - Arrays, Transistoren - IGBTs - Single, Transistoren - spezieller Zweck, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - JFETs and Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt ...
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RS1E200GNTB Produkteigenschaften
Artikelnummer :
RS1E200GNTB
Hersteller :
Rohm Semiconductor
Beschreibung :
MOSFET N-CH 30V 20A 8-HSOP
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
20A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.6 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
16.8nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1080pF @ 15V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
3W (Ta), 25.1W (Tc)
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
8-HSOP
Paket / fall :
8-PowerTDFN
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