BSC019N06NSATMA1 Preise (USD) [81641Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- BSC019N06NSATMA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- DIFFERENTIATED MOSFETS.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- Wettbewerbsvorteil:
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BSC019N06NSATMA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
BSC019N06NSATMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
DIFFERENTIATED MOSFETS
Serie :
OptiMOS™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
100A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.95 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.3V @ 74µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
77nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
5.25nF @ 30V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
136W (Ta)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PG-TDSON-8 FL
Paket / fall :
8-PowerTDFN
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