IGT60R070D1ATMA1 Preise (USD) [5772Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- IGT60R070D1ATMA1
- Hersteller:
- Infineon Technologies
- Detaillierte Beschreibung:
- IC GAN FET 600V 60A 8HSOF.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Gleichrichter - Single, Dioden - Brückengleichrichter, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Dioden - RF, Transistoren - IGBTs - Single, Thyristoren - SCRs - Module and Dioden - Zener - Single ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Infineon Technologies IGT60R070D1ATMA1 elektronische Komponenten. IGT60R070D1ATMA1 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IGT60R070D1ATMA1 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IGT60R070D1ATMA1 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IGT60R070D1ATMA1
Hersteller :
Infineon Technologies
Beschreibung :
IC GAN FET 600V 60A 8HSOF
Serie :
CoolGaN™
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
31A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
-
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.6V @ 2.6mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Vgs (Max) :
-10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
380pF @ 400V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
125W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
PG-HSOF-8-3
Paket / fall :
8-PowerSFN
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