STW58N65DM2AG Preise (USD) [7905Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- STW58N65DM2AG
- Hersteller:
- STMicroelectronics
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 650V 48A.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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STW58N65DM2AG Produkteigenschaften
Artikelnummer :
STW58N65DM2AG
Hersteller :
STMicroelectronics
Beschreibung :
MOSFET N-CH 650V 48A
Serie :
Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
650V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
48A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
65 mOhm @ 24A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
88nC @ 10V
Vgs (Max) :
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
4100pF @ 100V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
360W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-247
Paket / fall :
TO-247-3
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