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- Artikelnummer:
- BUK7575-55,127
- Hersteller:
- NXP USA Inc.
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 55V 19.7A TO220AB.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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BUK7575-55,127 Produkteigenschaften
Artikelnummer :
BUK7575-55,127
Hersteller :
NXP USA Inc.
Beschreibung :
MOSFET N-CH 55V 19.7A TO220AB
Serie :
TrenchMOS™
Teilestatus :
Obsolete
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
55V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
19.7A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
75 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Vgs (Max) :
±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
500pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
61W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart :
Through Hole
Supplier Device Package :
TO-220AB
Paket / fall :
TO-220-3
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