Toshiba Semiconductor and Storage - TPCC8005-H(TE12LQM

KEY Part #: K6412938

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    Artikelnummer:
    TPCC8005-H(TE12LQM
    Hersteller:
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET N-CH 30V 26A 8TSON.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - RF, Transistoren - IGBTs - Module, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln, Transistoren - spezieller Zweck and Thyristoren - TRIACs ...
    Wettbewerbsvorteil:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    TPCC8005-H(TE12LQM Produkteigenschaften

    Artikelnummer : TPCC8005-H(TE12LQM
    Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage
    Beschreibung : MOSFET N-CH 30V 26A 8TSON
    Serie : U-MOSVI-H
    Teilestatus : Obsolete
    FET-Typ : N-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 30V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 26A (Ta)
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.4 mOhm @ 13A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 2.3V @ 500µA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 35nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±20V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 2900pF @ 10V
    FET-Funktion : -
    Verlustleistung (max.) : 700mW (Ta), 30W (Tc)
    Betriebstemperatur : 150°C (TJ)
    Befestigungsart : Surface Mount
    Supplier Device Package : 8-TSON Advance (3.3x3.3)
    Paket / fall : 8-PowerVDFN

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