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- Artikelnummer:
- IRL620STRR
- Hersteller:
- Vishay Siliconix
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
-
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- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Single, Leistungstreibermodule, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays and Dioden - Zener - Arrays ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Vishay Siliconix IRL620STRR elektronische Komponenten. IRL620STRR kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu IRL620STRR haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
IRL620STRR Produkteigenschaften
Artikelnummer :
IRL620STRR
Hersteller :
Vishay Siliconix
Beschreibung :
MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK
Serie :
-
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
5.2A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
800 mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
16nC @ 5V
Vgs (Max) :
±10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
360pF @ 25V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
3.1W (Ta), 50W (Tc)
Betriebstemperatur :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
D2PAK
Paket / fall :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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