TPW1R306PL,L1Q Preise (USD) [66799Stück Lager]
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- Artikelnummer:
- TPW1R306PL,L1Q
- Hersteller:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Detaillierte Beschreibung:
- X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
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TPW1R306PL,L1Q Produkteigenschaften
Artikelnummer :
TPW1R306PL,L1Q
Hersteller :
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung :
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Serie :
U-MOSIX-H
Teilestatus :
Active
FET-Typ :
N-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
260A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.29 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
91nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
8100pF @ 30V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
960mW (Ta), 170W (Tc)
Betriebstemperatur :
175°C
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
8-DSOP Advance
Paket / fall :
8-PowerVDFN
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