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- Artikelnummer:
- TPCF8101(TE85L,F,M
- Hersteller:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Detaillierte Beschreibung:
- MOSFET P-CH 12V 6A VS-8.
- Standardlieferzeit des Herstellers:
- Auf Lager
- Haltbarkeit:
- Ein Jahr
- Chip von:
- Hongkong
- RoHS:
- Zahlungsmethode:
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- Versand weg:
- Familienkategorien:
- KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Dioden - Gleichrichter - Arrays, Thyristoren - SCRs - Module, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Transistoren - JFETs, Dioden - Gleichrichter - Single, Dioden - RF, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann and Thyristoren - DIACs, SIDACs ...
- Wettbewerbsvorteil:
- Wir sind spezialisiert auf Toshiba Semiconductor and Storage TPCF8101(TE85L,F,M elektronische Komponenten. TPCF8101(TE85L,F,M kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu TPCF8101(TE85L,F,M haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
TPCF8101(TE85L,F,M Produkteigenschaften
Artikelnummer :
TPCF8101(TE85L,F,M
Hersteller :
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung :
MOSFET P-CH 12V 6A VS-8
Serie :
U-MOSIII
Teilestatus :
Discontinued at Digi-Key
FET-Typ :
P-Channel
Technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) :
12V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C :
6A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
28 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.2V @ 200µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs :
18nC @ 5V
Vgs (Max) :
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds :
1600pF @ 10V
FET-Funktion :
-
Verlustleistung (max.) :
700mW (Ta)
Betriebstemperatur :
150°C (TJ)
Befestigungsart :
Surface Mount
Supplier Device Package :
VS-8 (2.9x1.5)
Paket / fall :
8-SMD, Flat Lead
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