GeneSiC Semiconductor - GA08JT17-247

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GA08JT17-247 Preise (USD) [1624Stück Lager]

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Artikelnummer:
GA08JT17-247
Hersteller:
GeneSiC Semiconductor
Detaillierte Beschreibung:
TRANS SJT 1700V 8A TO-247AB.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GA08JT17-247 Produkteigenschaften

Artikelnummer : GA08JT17-247
Hersteller : GeneSiC Semiconductor
Beschreibung : TRANS SJT 1700V 8A TO-247AB
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : -
Technologie : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1700V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 8A (Tc) (90°C)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 250 mOhm @ 8A
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (Max) : -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : -
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 48W (Tc)
Betriebstemperatur : 175°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-247AB
Paket / fall : TO-247-3
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