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GeneSiC Semiconductor - GA08JT17-247

KEY Part #: K6399027

GA08JT17-247 Preise (USD) [1624Stück Lager]

  • 1 pcs$25.13866
  • 10 pcs$23.65888
  • 25 pcs$22.18002
  • 100 pcs$21.14497
Artikelnummer:
GA08JT17-247
Hersteller:
GeneSiC Semiconductor
Detaillierte Beschreibung:
TRANS SJT 1700V 8A TO-247AB.
Standardlieferzeit des Herstellers:
Auf Lager
Haltbarkeit:
Ein Jahr
Chip von:
Hongkong
RoHS:
Zahlungsmethode:
Versand weg:
Familienkategorien:
KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Thyristoren - Thyristoren, Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann, Dioden - Brückengleichrichter, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Transistoren - FETs, MOSFETs - HF, Thyristoren - SCRs - Module, Dioden - RF and Dioden - Zener - Single ...
Wettbewerbsvorteil:
Wir sind spezialisiert auf GeneSiC Semiconductor GA08JT17-247 elektronische Komponenten. GA08JT17-247 kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu GA08JT17-247 haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GA08JT17-247 Produkteigenschaften

Artikelnummer : GA08JT17-247
Hersteller : GeneSiC Semiconductor
Beschreibung : TRANS SJT 1700V 8A TO-247AB
Serie : -
Teilestatus : Active
FET-Typ : -
Technologie : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain-Source-Spannung (Vdss) : 1700V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 8A (Tc) (90°C)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 250 mOhm @ 8A
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (Max) : -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : -
FET-Funktion : -
Verlustleistung (max.) : 48W (Tc)
Betriebstemperatur : 175°C (TJ)
Befestigungsart : Through Hole
Supplier Device Package : TO-247AB
Paket / fall : TO-247-3
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