STMicroelectronics - STW13NK80Z

KEY Part #: K6415673

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    Artikelnummer:
    STW13NK80Z
    Hersteller:
    STMicroelectronics
    Detaillierte Beschreibung:
    MOSFET N-CH 800V 12A TO-247.
    Standardlieferzeit des Herstellers:
    Auf Lager
    Haltbarkeit:
    Ein Jahr
    Chip von:
    Hongkong
    RoHS:
    Zahlungsmethode:
    Versand weg:
    Familienkategorien:
    KEY Components Co., LTD ist ein Händler für elektronische Komponenten, der Produktkategorien anbietet, darunter: Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, Leistungstreibermodule, Dioden - Gleichrichter - Arrays, Thyristoren - SCRs - Module, Dioden - Zener - Single, Dioden - Zener - Arrays, Transistoren - Bipolar (BJT) - Single and Transistoren - IGBTs - Arrays ...
    Wettbewerbsvorteil:
    Wir sind spezialisiert auf STMicroelectronics STW13NK80Z elektronische Komponenten. STW13NK80Z kann innerhalb von 24 Stunden nach Bestellung versendet werden. Wenn Sie noch Fragen zu STW13NK80Z haben, senden Sie uns bitte hier eine Angebotsanfrage oder senden Sie uns eine E-Mail: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    STW13NK80Z Produkteigenschaften

    Artikelnummer : STW13NK80Z
    Hersteller : STMicroelectronics
    Beschreibung : MOSFET N-CH 800V 12A TO-247
    Serie : SuperMESH™
    Teilestatus : Obsolete
    FET-Typ : N-Channel
    Technologie : MOSFET (Metal Oxide)
    Drain-Source-Spannung (Vdss) : 800V
    Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C : 12A (Tc)
    Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 650 mOhm @ 6A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 100µA
    Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs : 155nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±30V
    Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds : 3480pF @ 25V
    FET-Funktion : -
    Verlustleistung (max.) : 230W (Tc)
    Betriebstemperatur : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Befestigungsart : Through Hole
    Supplier Device Package : TO-247-3
    Paket / fall : TO-247-3

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